Die Wahl eines SiC-MOSFETs geht über RDSon hinaus. Erfahren Sie, wie Temperaturdrift, Schwellspannungsbereich, Gate-Ladungsverhältnis und Body-Dioden-Robustheit Effizienz und Schaltverhalten in anspruchsvollen Designs beeinflussen.
Dieser Leitfaden behandelt wichtige SiC-MOSFET-Parameter für reale Leistungssysteme. Erfahren Sie, wie RDSon-Temperaturstabilität die Effizienz steigert, enge Schwellspannungstoleranz einen ausgewogenen Parallelbetrieb ermöglicht und optimierte Gate-Ladungsverhältnisse falsches Einschalten verhindern.
Sehen Sie, wie die Gate-Treiberspannung Schaltverluste und Lebensdauer beeinflusst und warum eine niedrige Vorwärtsspannung der Body Diode und Qrr die Effizienz in Brückentopologien verbessern.
