Leistungswandlungsverluste führen in industriellen Anwendungen zu übermäßiger Wärmeentwicklung und erhöhter Systemkomplexität. GaN-FETs erreichen eine Effizienz von 99 Prozent, reduzieren die…
Sind Ihre Produkte bereit für den Cyber Resilience Act? Hersteller industrieller Geräte stehen unter zunehmendem regulatorischem Druck. Die Anforderungen des…
Die Wahl eines SiC-MOSFETs geht über RDSon hinaus. Erfahren Sie, wie Temperaturdrift, Schwellspannungsbereich, Gate-Ladungsverhältnis und Body-Dioden-Robustheit Effizienz und Schaltverhalten in…
